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光折变晶体
光折变晶体

BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶体

optogama主要提供BSO,Fe:LiNbO 3,SBN和BGO这四种光折变晶体,光折变效应是通过光强度的空间变化来改变局部折射率的现象。观察到相干光在光折射材料中相互干扰时会形成空间变化的照明模式。该效果可用于存储临时的可擦除全息图,也称为全息数据存储。它也可以用于创建相位共轭镜或光学空间孤子。

所属品牌: Optogama

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产品介绍

BSO晶体、Fe:LiNbO 3晶体、SBN晶体、BGO晶体

 

Optogama提供4Lasers品牌的BSOFeLiNbO3SBNBGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中,当相干光相互干扰时观察到,光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图,也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。

硅酸铋(Bi)12SiO20bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围:空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体,其孔径可达3英寸。

铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(FeLiNbO)LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。FeLiNbO3晶体采用Czochralsky法生长,尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是,FeLinbo3晶体操作方便,成本低,适合批量生产。

SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的,被CeCrCoFe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体,采用改进的Stepanov法生长,线性尺寸可达40 mm

锗酸铋(Bi12GeO20BGO)晶体是具有低暗电导率的高效光电导体,可以积累大量光致空间电荷。

 

硅酸铋晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

 

BSO晶体主要应用:

       -空间光调制器

-光开关

-相位共轭混合器。

 

BSO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12SiO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.10 a

密度

9.2/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.45-6μm

折射率

2.5

光学活性

42deg/mm

电光系数

r41 = 5 pm/V

介电常数(低频)

56

暗电阻

1014 Ohm cm

 

BSO晶体的产品规格:

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

硅酸铋晶体产品型号

SKU

面尺寸

厚度

定向

价格(RMB

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

铌酸锂晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

LiNbO3晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-全息记录

-光波导

 

LiNbO3晶体技术特性:

化学公式

FeLiNbO3

晶体结构

三角形,3m

密度

4.64/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.35-5.5μm

折射率@063μm

ne = 2.20, no = 2,29

电光系数

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介电常数

e11 = 85,e33 = 30

 

铌酸锂晶体产品规格:

Fe2O3

0.1 mol. %0.05 mol. %0.03 mol. %0.02 mol. %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<3 arcmin

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无,可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层

电极

无,可根据要求提供

 

铌酸锂晶体产品型号:

SKU

面尺寸

长度

掺杂水平

价格(RMB

4052

10x10毫米

5毫米

005%Fe2O3

请求

6457

10x10毫米

5毫米

002%Fe2O3

请求

6458

10x10毫米

5毫米

003%Fe2O3

请求

7005

10x10毫米

5毫米

01%Fe2O3

请求

7006

10x10毫米

1毫米

002%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

003%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

005%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

01%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

002%Fe2O3

请求

7011

20x20毫米

1毫米

003%Fe2O3

请求

7012

20x20毫米

1毫米

005%Fe2O3

请求

7013

20x20毫米

1毫米

01%Fe2O3

请求

 

 

SBN晶体的主要特点:

-Ce,CrCoFe纯掺杂

-有效相位共轭

-定制尺寸,掺杂水平,无极化,减反射涂层和没有电极晶体可根据要求

 

SBN晶体的主要应用:

-光学信息记录

-热释电探测器

-自泵浦自共轭镜

-光学相关器

 

SBN晶体的技术特性:

构图

SBN61

SBN75

晶体结构

四边形,4毫米

四边形,4毫米

晶格参数

a = 12,46 Å, c = 3,946 Å

a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化温度

1480°C

1480°C

居里温度

75°C

56℃

透光度范围

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633 nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δn@633 nm

-0.0286

-0.0130

传动

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波电压(λ/2)

240 V

60V

介电常数(T=293 K)

900

340

电光系数

R13=45 pm/V,R33=250 pm/V

R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V

热释电系数

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介电常数

880

3400

 

SBN晶体的产品规格:

定向

沿四方轴的短边

波林

极化

电极

碳水电极

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.1 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D通过透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

SBN晶体的产品型号:

SKU

材料

面尺寸

长度

掺杂

价格(RMB)

6940

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0002 wt%

15000

6941

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0002 wt%

18500

6942

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0002 wt%

24000

6943

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0002 wt%

30000

6944

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 001 wt%

15000

6945

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 001 wt%

18800

6946

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 001 wt%

22000

6947

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 001 wt%

30000

6948

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 01 wt%

15000

6949

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 01 wt%

18500

6950

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 01 wt%

24000

6951

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 01 wt%

30000

73

SBN61

5x5毫米

5毫米

未掺杂

15000

74

SBN61

5x5毫米

10毫米

未掺杂

18500

75

SBN61

5x5毫米

15毫米

未掺杂

24000

76

SBN61

5x5毫米

20毫米

未掺杂

30000

 

BGO晶体的主要特点:

-高电光系数(r41=35 pm/v)

-低暗电导

-大尺寸元件或晶片最多可达3

-可根据要求定制

 

BGO晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-光学相关器

 

BGO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12GeO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.15 a

密度

9.2/cm3

传输范围

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光学活性@500 nm

41.5/毫米

电光系数r41

3.5 pm/V

介电常数

40

暗电阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶体的产品规格:

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

BGO晶体的产品型号:

SKU

面尺寸

长度

定向

价格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],边与<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

15毫米

[110]

6000


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