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激光微芯片,MC激光芯片,
BATOP两种规格的Microchip皮秒微片激光器芯片:MC-反射型MCT-透射型。被动调Q一体化激光微芯片由一块Nd:YVO3晶体和一块可饱和吸收镜SAM组成。激光腔长度L在100um-300um范围内,主要取决于激光晶体的厚度。典型情况下,钕(Nd)掺杂浓度为2%或3%。可饱和吸收镜SAM起到调Q的作用,在1064nm处的反射比一般为0.75-0.9。在连续激光泵浦下,激光晶体上能级电子束逐渐增多,直到自发辐射增益达到最大为止,然后可饱和吸收镜吸收饱和,并发射出一个激光脉冲。

 

应用领域:

微加工

光探测和测距(激光雷达)

精密测量

变频

 

MC - Microchip in reflection mode (反射型激光微芯片):

结合NdYVO4激光晶体与可饱和吸收镜(SAM)。

激光输出光束与泵浦光束反向,必须使用二色镜将其与泵浦光分开。

激光输出是线偏振的,偏振方向垂直于铜散热器中的凹槽

 

MC反射型激光芯片 型号参数:

型号

规格

价格

MC-1064-100ps

Microchip in reflection mode
Emission wavelength λ
= 1064 nm
Pulse duration ~ 100 ps
Pulse energy ~ 20 nJ
Repetition rate 20 kHz - 700 kHz
Pump wavelength 808 nm

1,500

MC-1064-240ps

Microchip in reflection mode
Emission wavelength λ
= 1064 nm
Pulse duration ~ 240 ps
Pulse energy ~ 30 nJ
Repetition rate 50 kHz - 800 kHz
Pump wavelength 808 nm

1,500

 

MCT - Microchip in transmission mode (透射型激光微芯片):

 

特点:

结合NdYVO4激光晶体与可饱和输出耦合器(SOC)。

激光输出光束与泵浦光束方向相同。

激光输出是线性偏振的。

 

MCT透射型激光芯片 型号参数:

型号

规格

价格

MCT-1064-100ps

Microchip in transmission mode
Emission wavelength λ
= 1064 nm
Pulse duration ~ 100 ps
Pulse energy ~ 60 nJ
Repetition rate 20 kHz - 200 kHz
Pump wavelength 808 nm

1,900

MCT-1064-200ps

Microchip in transmission mode
Emission wavelength λ
= 1064 nm
Pulse duration ~ 200 ps
Pulse energy ~ 60 nJ
Repetition rate 20 kHz - 200 kHz
Pump wavelength 808 nm

1,900

 

 

皮秒光纤激光器评估套件Picosecond fiber laser evaluation kit PSFL1030

PSFL1030皮秒光纤激光器评估套件,可以在1030nm波长搭配不同的皮秒光纤激光器结构。其配备的有源光纤是掺镱的。通过改变光纤激光器的设计,可以研究某些元件对激光输出信号的影响。实验结果有助于发现和研究被动锁模掺Yb光纤激光器的原理和现象,进而构建适合用户应用的皮秒光纤激光器。

PSFL1030皮秒光纤激光器评估套件包含1030nm皮秒光纤器所有组件,含980nm泵浦源和激光二极管控制器。

 

PSFL1030可实现:

带有SAM饱和吸收镜的被动锁模 ps 光纤激光器

使用光纤布拉格光纤光栅作为输出耦合器

Ps 振荡器 + 光纤放大器组合

1030nm 波长的连续波光纤激光器

放大的自发发射宽带发射器。

 

额外所需测试工具:

光功率:计测量平均激光输出功率

快速光电二极管:跟踪时间相关的激光输出信号

示波器200 MHz:用于测量光电二极管输出信号

可选:OSA(光谱分析仪):测量光谱强度

可选:自相关仪,用于脉冲持续时间测量

 

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