作者:维尔克斯 时间:2024-8-1 10:51:23
AXUV100G光电二极管是电子检测以及大面积探测的理想选择,封装紧凑,内部量子效率100%,应用于汽车,生物技术,食品加工、医疗、军事/国防、工业、半导体设备制造。Opto Diode AXUV100G光电二极管具有从0.0124nm到190nm的光子,电子或X射线的高性能测量功能,可检测100eV至50keV的能量。AXUV100G光电二极管的有效面积是100mm2,在VB=±10mV测试条件下,分流电阻最小值是20欧姆,在IR=1µA测试条件下,反向击穿电压最小值是5V,典型值是10V。在VR=0V测试条件下,电容的典型值是5nF,最大值是15 nF。在VR=0V, RL=50 Ω测试条件下,上升时间是10μs。AXUV100G光电二极管响应率最小值是0.07,典型值是0.08。
AXUV100G光电二极管典型的电子响应
典型EUV-UV光子响应
典型的UV-VIS-NIR光子响应
电容和电压
暗电流与电压
AXUV16ELG光电二极管阵列
AXUV16ELG光电二级管阵列采用40针双列式封装,是电子检测的理想选择。有保护性盖板,以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列,Opto Diode公司AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下,有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时,电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下,上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时,每个元件的分流电阻值是100欧姆。
AXUV16ELG光电二级管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C,在氮气和真空下温度是-20°C~80°C,引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移,对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。
引脚 |
连接 |
引脚 |
连接 |
1,2,19,20 |
共阳极 |
11,30 |
阴极元件9 |
21,22,39,40 |
共阳极 |
12,29 |
阴极元件10 |
3,38 |
阴极元件1 |
13,28 |
阴极元件11 |
4,37 |
阴极元件2 |
14,27 |
阴极元件12 |
5,36 |
阴极元件3 |
15,26 |
阴极元件13 |
6,35 |
阴极元件4 |
16,25 |
阴极元件14 |
7,35 |
阴极元件5 |
17,24 |
阴极元件15 |
8,33 |
阴极元件6 |
18,23 |
阴极元件16 |
9,32 |
阴极元件7 |
|
图1AXUV16ELG光电二级管阵列典型的电子响应
图2典型EUV-UV光子响应
图3典型的UV-VIS-NIR光子响应
图4电容与电压
图5暗电流与电压