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Infrared光电探测器
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Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器

InfraRed Associates公司所生产的红外探测器都是使用高端材料,包括有​锑化铟材质探测器,碲镉汞​材质探测器​,探测非常灵敏。这种探测器常用于热成像、科研以及光谱学等应用​

所属品牌: 美国InfraRed

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

InSb/HgCdTe光伏锑化铟探测器波长范围1μm-5.5μm

InfraRed Associates公司所生产的红外探测器都是使用高端材料,包括有锑化铟材质探测器,碲镉汞材质探测器,探测非常灵敏。这种探测器常用于热成像、科研以及光谱学等应用

美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color),这些Infrared探测器各有各的优势和特点,以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。


碲镉汞(MCT)探测器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe)):

InfraRed Associate提供完整系列的光电导碲镉汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷却探测器。通过调整这种三元化合物的合金成分,可以改变波长响应。

操作这些光电导碲镉汞探测器时需要偏置电压,并确定最佳值以实现最高信噪比。InfraRed Associates的探测器在性能上通常受到背景噪声的限制。

标准LN2冷却和TE冷却(LN2 cooled and TE cooled)MCT探测器的响应如下图所示,图中给出的是FOV60度下的D*值和响应度。数值因元件尺寸和封装而异,请参阅规格表,了解与探测器要求相对应的数据。

图1:标准LN2冷却和TE冷却(LN2 cooled and TE cooled)MCT探测器的响应图

光电导碲镉汞探测器的应用:

- 医学热成像

- 热成像

- 傅立叶变换红外光谱仪

- 分析仪器

- 科研

- 污染监测

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器(InSb/HgCdTe 2-color):

InfraRed Associates为商业和军事应用提供InSb/HgCdTe 双色红外探测器。这些探测器可对红外光谱中不同但相邻的区域做出响应,一个元件响应短波长辐射,另一个元件响应长波长辐射。

其中,独特的结构允许两个元件位于同一焦点。 InSb/HgCdTe 双色探测器的InSb元件对1µm至5.5µm的辐射做出响应,HgCdTe元件对5.5µm至12.5µm的辐射做出响应。碲化镉汞元件可进行定制,以将其长波长响应范围扩展到25mm以上。可根据客户的规格要求进行定制配置,了解详情,请联系我们。

图2:响应度曲线图

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的应用:

- 辐射测量

- 热成像

- 背景识别Background Discrimination

- 傅立叶变换红外光谱

- 红外显微镜

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的规格参数:

标准InSb/HgCdTe双色红外探测器规格表

型号

FOV=60O, InSb (λpk,1000,1), HgCdTe (λpk,10000,1)

标准 Pkg.

标准窗口

有效面积(mm)

波长响应 (20% λco) (µm)

D*

(cmHz1/2W-1)

反应率

工作温度 (K)

2C-.25 InSb HgCdTe

q0.25/0.25x0.25

0.25x0.25

1- 5.5

5.5-12.5

≥1.0E11

≥3.0E10

≥3 A/W

≥5000V/W

77

MSL-8

MSL-12

or

MDL-8 MDL-12

ZnSe

(2-14mm)

2C-.5 InSb HgCdTe

q0.5/0.5x0.5

0.5x0.5

≥1.0E11

≥3.0E10

≥3 A/W

≥3000V/W

2C- 1 InSb HgCdTe

q1/ 1.0x1.0

1.0x1.0

≥1.0E11

≥3.0E10

≥3 A/W

≥2000V/W

2C- 2 InSb HgCdTe

q2/ 2.0x2.0

2.0x2.0

≥1.0E11

≥2.0E10

≥3 A/W

≥1000V/W

MSL-8侧视金属Side Looking Metal Dewar--8小时保温时间,MSL-12侧视金属--12小时保温时间

MDL-8下视金属Down Looking Metal Dewar--8小时保温时间,MDL-12下视金属--12小时保温时间


图3:InSb/HgCdTe探测器图示

 

光伏锑化铟探测器(InSb Detectors)

InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结,这种工艺可生产出较高质量的光电二极管,并且在1μm5.5μm波长区域表现出卓越的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器,其性能可通过空间(冷却FOV stops)或光谱(冷却干扰滤波器)减少背景来提高。

图4:D*值曲线图

光电效应是指当适当波长的辐射入射到p-n结时,p-n结上会产生电势。当光子通量照射到交界时,如果光子能量超过禁带间隙能量,就会形成电子-空穴对。


磁场将电子从p区扫向n区,将空穴从n区扫向p区。这一过程使p区为正,n区为负,并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。该电路由信号和噪声电流发生器与电阻和电容项并联组成。

图5:InSb探测器的等效电路图


当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时,探测器应反向偏置,使其回到最佳工作点:零电压。

这可以通过使用匹配的前置放大器来实现,例如IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声受限模式下工作,需要双路输出电源。


光伏锑化铟探测器的应用:

- 医疗热成像

- 热成像

- 光谱学

- 辐射测量

- 科研

- 红外显微镜


光伏锑化铟探测器的规格参数:

标准光伏锑化铟探测器规格表

型号

FOV=60O, (λpk,1000,1)

标准 Pkg.

标准窗口

有效面积(mm)

D*(cmHz1/2W-1)

响应度 (λp)

电阻 (Rd) (Ω)

电容 (Cd) (pF)

短路电流 Isc (µA)

开路电压 Vcc (mV)

工作温度(K)

IS-0.25

q.25/.25x.25

1.0E11

3A/W

1000K

70

0.9

80

to

125

77

MSL-8

MSL-12

or

MDL-8

MDL-12

Sapphire

IS-0.5

q.5/.5x.5

500K

100

2

IS-1.0

q1/1x1

300K

350

8

IS-2.0

q2/2x2

100K

1500

30

MSL-8 侧视金属Side Looking Metal Dewar--8 小时保温时间,MSL-12 侧视金属露--12 小时保温时间

MDL-8 下视金属Down Looking Metal Dewar--8 小时保温时间,MDL-12 下视金属露--12 小时保温时间

可根据客户的规格要求定制配置和阵列。此外,还可提供定制的金属和玻璃露台,以配合各种冷却技术,详情请联系我们。




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