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光电二极管
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Laser Components红外探测器APD

市面上许多红外探测器根据波长灵敏度,有工作范围,尤其是近红外范围和中红外范围的差别较大,而Laser Components开发了一款在在可见光和近红外范围内均有灵敏度的产品InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管以及PbS和PbSe检测器。

所属品牌: 德国Laser Components GmbH

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

红外InAs光电二极管,最高覆盖5.2μm,峰值灵敏度1.05-1.45 A/W

      市面上许多红外探测器根据波长灵敏度,有工作范围,尤其是近红外范围和中红外范围的差别较大,而Laser Components开发了一款在在可见光和近红外范围内均有灵敏度的产品InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管以及PbSPbSe检测器。


红外光电二极管InGaAs探测器的主要特点:

-峰值灵敏度从1.05A/W -1.4 A/W

-高动态范围

-线性度高

-灵敏度的温度系数低至 0.01%/K

-全色性,即在可见光和近红外范围内均有灵敏度


红外二极管探测器InGaAs探测器系列根据标称截止波长的不同分为IG17、IG22和IG26,分别对应1.7μm、2.2μm和2.6μm的截止波长。该红外光InGaAs光电二极管系列的开发重点是量子效率,专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计,在宽光谱范围内具有出色的并联电阻和卓越的响应性。

型号

直径

μm

50%截止波长

μm

峰值波长

μm

峰值响应

A/W

响应@520nm

A/W

响应@1300nm

A/W

响应@1500nm

A/W




Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

IG17X080S4i

80

≥1.65±0.1

1.55

0.9

1.05

TBD

0.1

0.77

0.91

0.8

1.0

IG17X250S4i

250

IG17X500S4i

500

IG17X1000S4i

1000

IG17X1300S4i

1300

IG17X2000G1i

2000

IG17X3000G1i

3000

IG22X080S4i

80

≥2.15

1.95±0.1

1.15

1.40

TBD

0.1

0.74

0.92

0.87

1.09

IG22X250S4i

250

IG22X500S4i

500

IG22X1000S4i

1000

IG22X1300S4i

1300

IG22X2000G1i

2000

IG22X3000G1i

3000


Typ.

@1600nm

@1900nm

IG26X250S4i

250

≥2.45

2.25±0.1

1.35

1.50

0.1

0.7

1.0

1.08

1.36

IG26X500S4i

500

IG26X1000S4i

1000

IG26X1300S4i

1300

IG26X2000G1i

2000

IG26X3000G1i

3000

注:参数在 T=25°C 时进行批量测试

在OV偏压下测量的响应度。

数据为窗口整合前的数据。

初步数据。


InGaAs PIN光电二极管:

现代InGaAs PIN光电二极管具有全色性,可将宽带光转换为可见光和近红外波段的光电流。具体来说,这意味着普通InGaAs的灵敏度范围为500nm1700nm,而扩展InGaAs的灵敏度范围则可递增到2600nm。值得注意的是InGaAs光电二极管的数据传输的变化不是全色的。


红外光InGaAs光电二极管的主要应用:

-光谱学(尤其是近红外傅立叶变换红外光谱)

-激光监测

-非接触式温度测量

-可调谐二极管激光光谱(TDLS

-分光光度法,例如用于测量水分

-分拣应用

-火焰调节


红外InAs光电二极管:

Laser Components生产的InAs光电二极管覆盖900nm3500nm的范围。IA35系列探测器是红外光InGaAs光电二极管IG26系列扩展型 InGaAs 光电二极管的光谱补充。红外InAs光电二极管IA35系列探测器是光伏探测器,有效区域直径为500μm

红外InAs光电二极管IA35S500S4i 是一款高质量且价格合理的组件。与传统红外探测器制造商的InAs产品相比,它同时在四倍面积上提供双倍分流电阻。

InAs光电二极管IA35系列的主要应用:

-非接触式温度测量

-激光监测

-分光光度计

IA35系列红外探测器APD的主要特点:

-峰值灵敏度:≥1.05A/W

-峰值灵敏度80%时的典型光谱范围:约90 nm至约3500nm

-分流电阻:典型值为700Ω

型号

直径

μm

20%截止波长

μm

峰值波长

μm

峰值响应

A/W

响应@900nm

A/W

响应@2800nm

A/W

响应@3200nm

A/W




Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

Min.

Typ.

IA35S500S4i

500

3.5

2.8

0.95

1.08

n.a.

0.1

0.95

1.05

n.a.

0.9

注:按批次测试的参数,100%测试的参数。


PbSPbSe检测器:

PbS 是标准的SWIR半导体探测器 (1-3.3μm),而PbSe用于MWIR范围(未冷却时为1-4.7μm;冷却时高达5.2μm)。Laser Components的铅盐检测器是光电导的,在照明过程中,探测器电阻会降低,晶体结构为多晶,通过化学沉积产生。

光电导探测器的电阻取决于入射光。PbSe具有特别强的内光电效应:当红外光到达硒化铅检测器时,电阻降低。红外二极管探测器可以在波长高达4.7μm的非制冷条件下使用。在室温下,红外光电二极管的检测率 D*大于1010。在低温下,它们可以达到更高的性能水平,波长偏移至5.2μmPbSe光电探测器在高灵敏度和良好的时间常数下具有良好的性价比。

PbSe光电探测器可分为PbSe亚硒化铅红外探测器PB45系列、PbSe 硒化铅红外TE冷却探测器PB50系列和PbSe 硒化铅红外TE Ultimate冷却探测器PB55系列。

型号

元件尺寸

mm

孔径尺寸

mm

特点

20%截止波长μm

峰值

波长μm

峰值响应度

V/W

时间常数

μs

可选软件包版本





Typ.

Typ.

Min.

Typ.

Typ.

Max.


PB45S10104S

1X1

Dia.3

TO-46

4.7

4.0

21000

42000

4

10

TO-39 Short cap

PB45S20209S

2X2

Dia.6.35

TO-39

Short cap

10500

21000

Medium cap

PB45S30309S

3X3

Dia.6.35

7000

14000

PB45S50508M

5X5

Dia.9.53

TO-8

Medium cap

4200

8400


PB45S60608M

6X6

Dia.9.53

3500

7000




Min








封装

PB50S1010T17M

1X1

Dia.6.35

1 stage cooling

(max 1.6W)

4.8

4.2

48000

72000

8

20

TO-37

Medium cap

PB50S2020T17M

2X2

24000

36000

PB50S3030T17M

3X3

16000

24000

PB50S1010T26L

1X1

Dia.9.53

2 stage cooling

(max 1.4W)

4.9

4.3

79000

120000

10

25

TO-8 flange

large cap

PB50S2020T26L

2X2

39500

60000

PB50S3030T26L

3X3

263000

40000

PB55S1010T2S6L

1X1

2 stage cooling

(max 3W)

5.2

4.6

120000

180000

12

30

PB55S2020T2S6L

2X2

60000

90000

PB55S3030T2S6L

3X3

40000

60000

PB55S5050T2S6L

5X5

24000

36000

PB55S6060T2S6L

6X6

20000

30000

红外二极管探测器PbS探测器的灵敏度比PbSe光电探测器高一个数量级以上,但是,时间常数更长。IV-VI半导体PbS是一种光电探测器,可对入射红外辐射做出反应并改变其电阻。这些探测器尤其适用于需要大面积探测器的情况,因为它们比同类InGaAs探测器便宜得多。LASER COMPONENTS标准探测器的典型芯片尺寸为2 mm x 2 mm。其他配置也可根据要求提供。

红外光电二极管PbS探测器也分为三类:铅硫化铝红外探测器PB系列、PbS硫化铝红外TE冷却探测器PB27系列和PbS硫化铝红外 TE终极冷却探测器PB30系列。

型号

元件尺寸

mm

孔径尺寸

mm

特点

峰值响应度

V/W ac

噪音密度

rms




Min.

Typ.

90Hz Typ.

650Hz Typ.

PB25S10104S

1X1

Dia.3

TO-46, short cap

560000

800000

4.2

1.4

PB25G10104

1X1

Dia.3.81

TO-46, glass cap

PB25S10109S

1X1

Dia.6.35

TO-39, short cap

PB25G10109

1x1

Dia.6.6

TO-39, glass cap

PB25G10254

1x2.5

Dia.3.81

TO-46, glass cap

220000

330000

TBD

TBD

PB25G10259

1x2.5

Dia.6.6

TO-39, glass cap

PB25S20209S

2x2

Dia.6.35

TO-39, short cap

280000

400000

4.2

1.4

PB25G20209

2x2

Dia.6.6

TO-39, glass cap

PB25S30309S

3x3

Dia.6.35

TO-39, short cap

185000

260000

TBD

TBD

PB25G3030

3x3

Dia.6.6

TO-39, glass cap

PB25G20509

2x5

Dia.6.6

TO-39, glass cap

80000

12000

PB25G38389

3.8x3.8

Dia.6.6

TO-39, glass cap

115000

172000

PB25S50508M

5x5

Dia.9.53

TO-8,medium cap

110000

160000

PB25S60608M

6x6

Dia.9.53

TO-8,medium cap

90000

140000

PB25G20209X-Si

2x2

Dia.6.35

Si-Sandwich

280000

400000

4.2

1.4


型号

元件尺寸

mm

孔径尺寸

mm

特点

20%截止波长μm

峰值

波长μm

峰值响应度

V/W

时间常数

μs

封装



Min


Typ.

Typ.

Min.

Typ.

Typ.

Max.


PB27S1010T17M

1x1

Dia.6.35

1 stage cooling

(max 1.6W)

3.3

2.6

1300000

1950000

800

1600

TO-37,

medium

cap

PB27ST17M

2x2

650000

975000

PB27ST17M

3x3

430000

650000

PB27ST1S6M

5x5

Dia.9.5

260000

390000

TO-8 flange,

medium cap

PB27ST1S6M

6x6

215000

325000

PB27S2020T26L

2x2

2 stage cooling

(max 1.4W)

660000

1000000

1250

2500

TO-8

flange,

large

 cap

PB27S3030T26L

3x3

440000

660000

PB30S1010T2S6L

1x1

2 stage cooling

(max 3W)

3.4

2.7

1500000

2200000

1750

3500

PB30S2020T2S6L

2x2

750000

1100000

PB30S3030T2S6L

3x3

500000

730000

PB30S6060T2S6L

6x6

3.3

2.6

240000

3600000


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