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非线性晶体
非线性晶体

GaSe晶体, AGSe晶体, CdSe晶体

GaSe晶体是一种六边形晶体,主要用于远红外波段的二次谐波产生。AGSe晶体-硒化银(AgGaSe2,有时也称为银镓硒化物)广泛应用于中红外(MIR)、红外(IR)和远红外(FIR)光应用,是树波相互作用的最佳晶体之一。CdSe晶体(硒化镉)是晶体材料,通常取向为纤锌矿(六角形)。硒化镉晶体广泛应用于各种中红外(MIR)领域,最常见的是CdSe用于制造红外光学元件,以及CO、CO2或其它红外激光系统。

所属品牌: 立陶宛3photon

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产品介绍

非线性晶体,GaSe晶体, AGSe晶体, CdSe晶体

硒化镓(GaSe)是一种六边形晶体,主要用于远红外波段的二次谐波产生。硒化镓具有极低的莫氏硬度,使其非常脆弱,消除了应用机械处理或涂层的可能性。3photon可以提供沿光轴Z切割的气体晶体。

大的非线性光学(NLO)系数使得AGSe成为非线性光学(NLO)应用中最常用的红外晶体之一。与AGS相比,硒铝酸银(AGSe)具有红外吸收系数低、熔点低等优点。

近年来,人们采用了几种晶体生长方法来生长CdSe单晶和多晶材料。化学气相输运、固态再结晶、温度梯度溶液区生长、高压垂直区熔是获得高质量CdSe晶体的主要方法。3photon可以随时为晶体生长提供专业建议。CdSe抛光后,可根据要求对材料进行涂层处理。内部涂层由经验丰富的涂层工程师进行建模和沉积。

 

GaSe晶体特点:

- GaSe是非常软的材料,不能进行抛光或涂层程序;

-透明度范围:900-16000nm

-只能在一个平面(001)上切割;

-由于高折射率和可用的方向限制,只能使用较小的θ角;

-较便宜的替代AGSAGSe,可产生2400 nm20000 nm或太赫兹输出。

 

GaSe晶体典型应用:

-GaSe最适合电子和光学应用:

高功率飞秒激光器;

太赫兹(THz)产生;

宽带中红外(MIR)电磁波产生的替代方案;

在中红外(MIR)中产生二次谐波(SHG),用于COCO2、染料激光器等。;

上转换:红外(IR)到近红外(NIR)范围;

光学参量产生(OPG)在316µm范围内。

 

AGSe晶体特点:

-最宽的3光子红外晶体的透明度范围从1100纳米到18微米;

-大的非线性光学(NLO)系数(deff=~27-33 pm/V);

-宽光谱和角度接受;

-生长过程复杂,价格昂贵;

-非线性大约是AGS2-3倍;

-高损伤阈值涂层可用于中红外(MIR)和红外(IR)范围。

 

AGSe晶体典型应用:

-CO5-6μm)和CO210.6μm)激光系统的有效二次谐波产生(SHG);

-Ho:YLF2050nm)泵浦的光学参量振荡器(OPO),输出可调范围为2.512μm

-中红外和远红外区域的不同频率发生器,其红外截止波长约为18µm

-作为ZGP晶体的替代品,OPA2.09μm->3-5μm

-在第二阶段(在OPO800 nm泵浦后)以产生7-20μm的更长波长。

 

CdSe晶体特点:

-低光吸收。

-宽带特定传输范围:2.5μm16μm

 

CdSe晶体典型应用:

-红外偏振光学:红外偏振器和红外波片。

-红外光学元件,如红外分束器、红外二色反射镜和红外窗口。

-纳米颗粒(如纳米AWS、纳米管和纳米线)。

-光学参量发生器(OPG)。

-光学参量振荡器。

-DFM变频器。

 

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