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Opto Diode光电探测器
Opto Diode光电探测器
产品中心

增强型光电二极管

Opto Diode红蓝增强型探测器波长范围在400-740nm之间,也可以称之为400-740nm光电探测器。可见光增强型探测器波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。Opto Diode光电二极管波长为632nm时最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W。

所属品牌: Opto diode

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

Opto Diode红蓝增强型探测器低电容,400-740nm


Opto Diode提供高质量的标准和定制的可见光谱硅光电二极管。我们有各种各样低暗电流和低电容的器件。400-740nm光电探测器可以在400-740nm之间的响应,我们生产的红蓝增强型探测器适用于许多应用。对于大批量的需求,您可以直接找我们订购。

Opto Diode光电二极管存储和操作温度范围为-55°C100°C,最高结点温度100°C,引线焊接温度260°COpto Diode可见光增强型探测器总共有14个型号,有效面积为1~42mm²,用三种方式进行密封包装,这三种方式分别是TO-5TO-8TO-18Opto Diode可见光增强型探测器有低暗电流、低电容、圆形有效区域、芯片尺寸可以优化等特点,优化的芯片尺寸可以获得最大的信号。

Opto Diode可见光增强型探测器是增强型光电二极管,红色增强型光电二极管标准品的波长为632nm,蓝色增强型光电二极管标准品的波长为450nm。对于红蓝增强型探测器的其他波长可以找我们定制,蓝色增强型探测器波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。红色增强型探测器波长为632nm时最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W


Opto Diode光电二极管型号:

型号

零件编号

描述

有效面积mm²

ODD-1

ODD-632-001

TO-18封装的红色增强型光电二极管

1

ODD-1B

ODD-450-001

蓝色增强型光电二极管,TO-18封装

1

ODD-1W

ODD-632-008

TO-18封装的红色增强型光电二极管

1

ODD-1WB

ODD-450-007

蓝色增强型光电二极管,TO-18封装

1

ODD-12W

ODD-632-004

红色增强型光电二极管,TO-8密封包装

12

ODD-12WB

ODD-450-004

蓝色增强型光电二极管,TO-8密封包装

12

ODD-15W

ODD-632-005

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

15.8

ODD-15WB

ODD-450-005

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

15.8

ODD-42W

ODD-632-006

红色增强型光电二极管,TO-8密封包装

42

ODD-42WB

ODD-450-006

蓝色增强型光电二极管,TO-8密封包装

42

ODD-5W

ODD-632-002

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WB

ODD-450-002

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WBISOL

ODD-450-003

蓝色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5

ODD-5WISOL

ODD-632-003

红色增强型光电二极管,TO-5密封包装

5


ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB25°时的光电特性

TO-18封装、低成本格式、低暗电流、低电容。

活动区域是1.35mmx0.76mm, 活动区域的典型值是1mm²。VR=10V时暗电流的典型值是0.2nA,最大值是1nA。当电阻的电流为IR=10µA时,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60VVR=10V测试条件下,上升时间典型值为8纳秒,最大值是15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为25欧姆,最大值是60欧姆。ODD-1ODD-1WODD-1BODD-1WB的特点一样,除了灵敏度和电容不一样。ODD-1BODD-1WB450nm的波长下灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.5pFODD-1ODD-1W632的波长下灵敏度最小值是0.36A/W,典型值是0.40 A/W,当电阻的电压是VR=10V时,电容最大值是2pF,典型值是0.2pF


ODD-12WODD-12WB(红蓝增强型探测器)在25°时的光电特性

TO-8密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为4mm测试条件下,活动区域的典型值是12mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是3nA,最大值是7nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是25pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为15纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-12WODD-12WB除了灵敏度不一样,其他都一样,ODD-12W632nm的波长下灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/WODD-12WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W


ODD-15WODD-15WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-5密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

6.27mmx2.52mm测试条件下,活动区域的典型值是15.8mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是4nA,最大值是10nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是30pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为20纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-15WODD-15WB的特点一样,除了波长的灵敏度不一样,ODD-15W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/WODD-15WB波长是450nm, 灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W


ODD-42WODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得最大的信号、低电容。

9.91mmx4.28mm测试条件下,活动区域的典型值是42mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是11nA,最大值是25nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-42WODD-42WB只有灵敏度不一样,ODD-42W波长为632nm时灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/WODD-42WB波长为450nm时灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W


ODD-5WODD-5WBODD-5WBISOLODD-5WISOL25°时的光电特性

TO-5密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为2.52mm测试条件下,活动区域的典型值是5mm²。在VR=10V测试条件下,暗电流的典型值是1nA,最大值是3nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下,反向击穿电压最小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下,电容的典型值是11pF。在VR=10V测试条件下,上升时间典型值为10纳秒。在Vf=1V时,串联电阻的典型值为35欧姆,最大值是100欧姆。ODD-5WODD-5WBODD-5WBISOLODD-5WISOL的特点一样,除了灵敏度不一样,ODD-5WODD-5WISOL632nm的波长下灵敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/WODD-5WBODD-5WBISOL450nm的波长下灵敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28 A/W


ODD-1型号光电特性图

从电容与偏置电压图中可以看到电容与偏置电压成反比,电容随着偏置电压的增大而减小。从典型的光谱响应图中可以看到灵敏度随着波长增加而变大,当波长达到980nm左右,灵敏度达到最大值。当达到最大值后,灵敏度会随着波长增加而减小。从暗电流与电容关系图中,可以看到暗电流随着电压的增大而增加。想知道更多型号的光电特性图,可以联系我们。








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