显微镜平台,太阳光模拟器,衍射光学元件,光束整形,分束镜,光谱仪,生物激光器,光束分析仪,Layertec
Opto Diode光电探测器
Opto Diode光电探测器
产品中心

近红外发光二极管

Optodiode近红外发光二极管有高耐辐射性,高光输出的特点,有窄角、中角、广角三种类型,窄角适合长距离应用,中角可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角覆盖大面积。

所属品牌: Opto diode

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

Optodiode近红外发光二极管高光输出,耐辐射性高



Optodiode近红外发光二极管的型号

型号

零件号

描述

输出功率

OD-800F

OD-810-005

高辐射抗辐射窄角红外810nm发射器

3mW

OD-800L

OD-810-003

高辐射抗辐射中角红外810nm发射器

3mW

OD-800W

OD-810-002

高辐射抗辐射广角红外810nm发射器

3mW

OD-850F

OD-850-004

窄角TO-46 850nm发射器

30mW

OD-850FHT

OD-850-010

窄角TO-46 850nm发射器,高温

22mW

OD-850L

OD-850-003

中角TO-46 850nm发射器

35mW

OD-850LHT

OD-850-009

中角TO-46 850nm发射器,高温

25.5mW

OD-850W

OD-850-002

广角TO-46 850nm发射器

40mW

OD-850WHT

OD-850-008

广角TO-46 850nm发射器,高温

27.5mW

Optodiode近红外LED中OD-800F型号特征

• 高光输出、810nm峰值发射、密封金属TO-46封装、窄角度,

适合长距离应用、耐辐射性高、优异的功率衰减特性、快速响应、提供 MIL-S-19500 筛查、无内部涂层

在IF=100mA时,总功率输出最小值是1.5mW,典型值是3mW。IF=50mA,峰值发射波长810nm,光谱带宽在50%典型值是50nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.45V,最大值1.8V。IR=10μA,反向击穿电压最小值是3V,典型值4V。VR=0V,电容典型值是150pF。上升与下降时间都是60纳秒。

参数单位:功耗180mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs,150Hz)3A,反向电压3V,引线焊接温度240°C。

存储和工作温度范围-65°C至150°C,最高结温150°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W。

OD-800L、OD-800W与OD-800F型号参数差不多,除了角度不一样,IF=50mA,OD-800L半强度光束角是35°,OD-800W半强度光束角是80°。


近红外发光二极管(IRLED)采用宽、中或窄输出模式制造,采用坚固的气密密封封装。金属外壳是最佳散热的理想选择,工作温度范围为 -65°C +150°C。光电二极管的IRLED提供广泛的线性功率输出,并提供高速等级。

Optodiode近红外发光二极管有窄角、中角、广角三种类型,窄角近红外发光二极管半强度光束角是8°,中角近红外发光二极管半强度光束角是35°、广角半强度光束角是80°,不同角度的近红外发光二极管输出功率不一样。

Optodiode近红外LED采用TO-46密封封装,具有高光输出,耐辐射性高等特点。窄角近红外发光二极管适合长距离应用,中角近红外发光二极管发射角中等可以实现最佳覆盖范围/功率密度,广角近红外发光二极管发射角度广,覆盖大面积。Optodiode近红外发光二极管有810nm850nm两种波长。


窄角、中角、广角三种类型近红外发光二极管的区别

OD-850F窄角近红外发光二极管工作温度-40°C-100°C,视角8°,波长850nm,电流直流最大值100mA,正向电压典型值1.6V

OD-850F窄角近红外发光二极管具有高光输出、850nm峰值发射、密封TO-46封装、窄角近红外发光二极管适合长距离应用等特点。

OD-850F窄角近红外发光二极管在IF=100mA时,总功率输出最小值是22mW,典型值是30mWIF=20mA,峰值发射波长850nm,光谱带宽在50%典型值是40nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.6V,最大值2VIR=10μA,反向击穿电压最小值是5V,典型值30VIFP=50mA,上升与下降时间都是20纳秒。

OD-850F窄角近红外发光二极管参数单位:功耗200mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs200Hz300mA,反向电压5V,引线焊接温度260°C

OD-850F窄角近红外发光二极管存储和工作温度范围-40°C100°C,最高结温100°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W

OD-850L中角、OD-850W广角除了输出功率和角度与OD-850F窄角不一样,其他参数都一样。在IF=100mA时,OD-850L总功率输出最小值是25mW,典型值是35mW,半强度光束角是35°。在IF=100mA时,OD-850W总功率输出最小值是30mW,典型值是40mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHTOD-850LHT除了输出功率、角度和工作温度与OD-850F不一样,其他参数都一样。OD-850FHT总功率输出最小值是17mW,典型值是22mW,半强度光束角是8°;OD-850WHT输出功率典型值是26mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°;OD-850LHT总功率输出最小值是18mW,典型值是22mW,半强度光束角是35°。OD-850FHTOD-850WHTOD-850LHT存储和工作温度范围-65°C150°C,最高结温150°C




相关产品

Optodiode极紫外增强型光电二极管

查看详情+

紫外光电二极管UVG

查看详情+

Opto Diode AXUV光电探测器

查看详情+

Opto Diode高速脉冲红外激光二极管

查看详情+
关于我们
公司简介 人才招聘
产品中心
衍射光学元件 光学平台 激光测量 激光器 镜片 晶体 光学仪器 光电探测器 光学配件 太赫兹
代理厂商
比利时 芬兰 以色列 德国 美国 立陶宛 加拿大 荷兰 英国
技术咨询
光学单位换算 激光基础知识 激光行业资讯 激光技术文档
联系我们
联系方式 在线留言
0755 84870203

服务热线

网站地图