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光电二极管
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1900nmLED发光二极管

1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片(InGaAs chip)。

所属品牌: 奥地利Roithner Lasertechnik

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

PA9T SMD封装的Roithner发光二极管1900nm波长,30mW高功率

1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片(InGaAs chip)。砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装,底座尺寸均为5x5mm该产品SMB1N系列一如既往的高功率。

SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED,典型峰值波长为1900nm,光输出功率为27mW@1ARoithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T),带有镀银焊盘(可无铅焊接)、铜散热器和硅树脂模制透镜,还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。

Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的最大区别是SMB1N-1900D-02含有透镜,从而导致其光束角为±9°,而SMB1N-1900D的光束角为±64°。


Roithner 1900nm LED的主要特点:

-红外高功率LED

-特定波长1900nm,光输出功率27mWSMB1N-1900D)或30mWSMB1N-1900D-02

-砷化镓芯片(InGaAs chip),1x1mm

  - PA9T SMD 封装

  -光束角±64°(SMB1N-1900D)或±9°(SMB1N-1900D-02


1900nmLED发光二极管的最大额定值*          

参数

符号

最小值

最大值

单位

功率耗散

PD


1600

mW

正向电流

IF


1000

mA

脉冲正向电流**

IFP


2000

mA

反向电压

UF


2

V

热阻

RTHJA


10

K/W

结温

TJ


120

°C

工作温度

TCASE

-40

+85

°C

存储温度

TSTG

-40

+100

°C

引线焊接温度 (tmax.5s)

TSLD


+250

°C

*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备

    **占空比=1%,脉冲宽度=10μs


1900nm高功率LED电子光学特性(TCASE = 25°C):

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

峰值波长

λP

IF=1 A

1850


1950

nm

半宽

λΔ

IF=1 A


120

nm

正向电压

VF

IF=1 A


1.2

1.6

V

VFP

IFP=2 A*


1.6

总辐射功率

PO

IF=1 A

18

27

mW

IF=2 A*


47

辐射强度

IE

IF=1 A


/

mW/sr

IF=2 A*


/

视角

2θ1/2

IF=100 Ma


128

deg.

上升时间

tr

IF=1 A


90

ns

下降时间

tf

IF=1 A


30

ns

*占空比=1%,脉冲宽度=10μs

1900nmLED发光二极管的外形尺寸:


1900nm发光二极管SMB1N-1900D

红外高功率Roithner LED典型性能曲线:




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