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Amplification近红外离散放大光子探测器

Amplification热电冷却InGaAs探测器可以实现高品质的内部放大,具有高增益(>105)、快速响应(<0.4ns上升时间)和极低的过噪声因子(<1.05)。

所属品牌: 美国Amplification

负责人:郭工
联系电话:13434776712   电子邮箱:syguo@welloptics.cn

产品介绍

950-1650nmNIR InGaAs光子探测器2000个光子的灵敏动态,配备热电冷却器

      Amplification热电冷却InGaAs探测器通过专利技术可以实现高品质的内部放大,具有高增益(>105)、快速响应(<0.4ns上升时间)和极低的过噪声因子(<1.05)。该产品采用TO-8封装,配有热电冷却器,环境温度为25°C时,可以冷却到-50°C

近红外铟镓砷光子探测器的TEC性能:

TEC是一款三级冷却器,采用高质量的散装BiTe材料制造,符合RoHS规范,并通过了Telordia GR-468 认证。符合RoHS规范,并通过了Telcordia GR-468认证。以下是理想条件下的 TEC 性能参数:

近红外铟镓砷探测器TEC性能数据不包括TO封装和散热器布置,实际使用限制冷却温度在-50°C至-55°之间。上图中所示的InGaAs探测器性能参数是在最优散热和无负载条件下获得的。在TO-8头部的实际使用中,应仔细考虑设计一个合适的散热方案。为了获得最大的可靠性,建议在非凝结环境下存储和操作温度低于85°C。为了尽量减少热应力,应使用线性/比例温度控制或类似的方法,而不是开关控制方法。

Amplification NIRDAPD TEC近红外探测器是一款近红外离散放大光子探测器,波长覆盖950nm1650nm的近红外波段。Amplification热电制冷近红外探测器DAPD TO8专为宽带模拟检测低光信号而设计,近红外铟镓砷探测器对NIR模拟检测器而言具有独一无二的信号脉冲灵敏度。NIR InGaAs光子探测器的灵敏度涵盖了从单个光子到每脉冲约2000个光子的宽动态范围,并且其输出信号与检测到的光子数成正比。

Amplification近红外TEC探测器DAPD-TO8有两种不同的有效面积尺寸可供选择:80µm200µm


Amplification近红外探测器的主要特点:

-近红外光谱响应从9501650 nm

-快速响应:上升时间< 0.4ns

-高增益:在最大PDE下,G=~100k

  -低噪声因子:F<1.05

  - TEC冷却到-50ºC

  这表明热电冷却InGaAs探测器可以通过热电制冷(TEC)技术冷却到极低的温度。在低温下,Amplification近红外离散放大光子探测器的性能可能会得到提高,因为热噪声会减少。Amplification近红外探测器DAPD TO8的输出信号相对于噪声是非常干净的,可以提高检测的准确性。


Amplification近红外铟镓砷探测器的主要应用:

       -激光雷达3D成像

       -激光雷达和环境监测

       -光谱学和仪器

       -量子通信

NIRDAPD TEC近红外探测器的规格:(工作温度为 -50°C 时)          

参数

DAPD TO8 series

单位

有效区域直径

80

200

μm

频谱响应范围(λ

950-1650

nm

典型增益 (M)

1x105

-

过量噪声系数

1.05

-

光子检测效率@1550 纳米 (PDE)1

10-20

%

单电子响应脉冲宽度 (FWHM)

1.0

1.0

Ns

典型暗计数率

10

25

Mcps

工作偏置

50-80

V

(1)   近红外TEC探测器的光子检测效率包括串扰和后脉冲。




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