一维/二维位敏探测器SiTek是在偏置模式下工作，一维位置感应探测器和SiTek二维PSD的位置非线性分别是±0.1%和±0.3%，PSD探测器主要应用于距离和高度测量、校准、位置和运动测量等。
所属品牌： 瑞典SiTek
负责人：韦工
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SiTek位敏探测器PSD，高分辨率，位置非线性±0.1%和±0.3%
适用于所有一维/二维位敏探测器SiTek的通用数据：
- 典型热漂移：1L(一维)系列为20 ppm/°C，2L(二维)系列为40ppm/°C
- 偏置电压：5-20V
- 最大工作温度：70°C
- 最大存储温度：100°C
一维/二维位敏探测器SiTek规格数据是在以下条件下测量的：
- 偏压=15V
- 温度23°C
- 位置非线性和热漂移的测量范围为探测器长度的80%
- 热漂移的测量范围为23°C至70°C
- 除非另有说明，否则所有数值均为典型值
- 有关详细数据，请参阅各数据表
一维/二维位敏探测器SiTek是在偏置模式下工作，一维位置感应探测器和SiTek二维PSD的位置非线性分别是±0.1%和±0.3%，PSD探测器主要应用于距离和高度测量、校准、位置和运动测量等。
瑞典SiTek在生产位置感应探测器方面具有几十年的经验，注重分辨率、线性度和品质，很受客户的青睐。位置感应探测器(Position Sensing Detector, PSD)，也叫位置传感器PSD，是一种光电设备，可将入射光点转换为连续的位置数据。一维/二维位敏探测器SiTek具有分辨率高、响应速度快、线性度好的特点，适用于各种光强，而且操作电路简单。
SiTek探测器主要有两种类型：一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作，具有出色的位置分辨率。PSD位敏探测器(一维/二维)分辨率由系统信噪比决定，而且是在偏置模式下工作。另外，SiTek还可提供特殊的紫外UV或YAG增强型和核型版本(Nuclear versions)。
图1：PSD位敏探测器(一维/二维)图示
SiTek位敏探测器PSD的特点：
- 将光点或辐射点的位置转换为信号电流
- PSD探测器具备出色的位置分辨率和线性度
- 光谱响应范围广
- 可在各种光照或辐射强度下工作
- 响应时间短
- 同时测量光或辐射强度的位置
- 不受光点或辐射点聚焦的影响
- 动态范围广
SiTek位敏探测器PSD的应用：
- 距离和高度测量
- 校准、位置运动测量和振动研究
- 非接触式距离测量系统（三角测量法）
- 校准和表面水平测量
- 定位和运动测量系统
- 光学光谱分析仪
- 三维机器视觉（轮廓映射）
- 角度测量系统
一维位敏探测器(1-dimensional PSD)快速参考数据规格表：
- 位置非线性：±0.1%
- 探测器电阻：50kohm
|
Part.NO |
型号 |
有效面积(mm) |
漏电流(nA) Leakage current |
Noise干扰电流pA/Hz |
电容(pF) |
上升时间(10-90%)(µs) |
标准封装 |
|
S1-0001 |
1L2.5_CP2 |
2.5x0.6 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
14针 DIL |
|
S1-0065 |
1L2.5_CP1 |
2.5x0.6 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
4针 DIL |
|
S1-0003 |
1L5_CP2 |
5.0x1.0 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
14针 DIL |
|
S1-0009 |
1L5_CP1 |
5.0x1.0 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
4针 DIL |
|
S1-0005 |
1L10_CP2 |
10x2 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
14针 DIL |
|
S1-0236 |
1L10_SU70 |
10x2 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
SMD |
|
S1-0006 |
1L20_CP3 |
20x3 |
60 |
0.5 |
45 |
0.5 |
22针 DIL |
|
S1-0007 |
1L30_SU2 |
30x4 |
150 |
0.7 |
90 |
1 |
基底 |
|
S1-0247 |
1L45_SU69 |
45x3 |
110 |
0.4 |
105 |
2.7 |
基底 |
|
S1-0248 |
1L60_SU34 |
60x3 |
150 |
0.4 |
135 |
4.5 |
基底 |
消除杂散光的SiTek一维PSD：
- 位置非线性：±0.1%
- 探测器电阻：200kohm
|
Part.NO |
型号 |
有效面积(mm) |
漏电流(nA) Leakage current |
Noise干扰电流pA/Hz |
电容(pF) |
上升时间(10-90%)(µs) |
标准封装 |
|
S1-0090 |
1L5NT_CP1 |
5x0.25 |
4 |
0.3 |
5 |
0.25 |
4针 DIL |
|
S1-0066 |
1L5NT_CP2 |
5x0.25 |
4 |
0.3 |
5 |
0.25 |
14针 DIL |
|
S1-0067 |
1L10NT_CP2 |
10x0.5 |
8 |
0.3 |
15 |
0.7 |
14针 DIL |
带有增强UV响应的SiTek一维位置感应探测器:
|
Part.NO |
型号 |
有效面积(mm) |
漏电流(nA) Leakage current |
Noise干扰电流pA/Hz |
电容(pF) |
上升时间(10-90%)(µs) |
标准封装 |
|
S1-0072 |
1L2.5UV_CP2 |
2.5x0.6 |
2 |
0.4 |
1.6 |
0.03 |
14针 DIL |
|
S1-0032 |
1L5UV_CP2 |
5x1 |
4 |
0.4 |
5 |
0.05 |
14针 DIL |
|
S1-0073 |
1L10UV_CP2 |
10x2 |
8 |
0.4 |
15 |
0.2 |
14针 DIL |
|
S1-0074 |
1L20UV_CP3 |
20x3 |
50 |
0.5 |
45 |
0.5 |
14针 DIL |
|
S1-0034 |
1L30UV_SU2 |
30x4 |
150 |
0.5 |
90 |
1 |
基底 |
二维位敏探测器(2-dimensional PSD)快速参考数据规格表：
- 位置非线性：±0.3%
- 探测器电阻：10kohm
|
Part.NO |
型号 |
有效面积(mm) |
漏电流(nA) Leakage current |
Noise干扰电流pA/Hz |
电容(pF) |
上升时间(10-90%)(µs) |
标准封装 |
|
S2-0001 |
2L2_MP1 |
2x2 |
50 |
1.3 |
7 |
0.03 |
TO-8 |
|
S2-0032 |
2L2_CP4 |
2x2 |
50 |
1.3 |
7 |
0.03 |
4针 陶瓷 |
|
S2-0002 |
2L4_MP1 |
4x4 |
50 |
1.3 |
20 |
0.08 |
TO-8 |
|
S2-0024 |
2L4_CP5 |
4x4 |
50 |
1.3 |
20 |
0.08 |
4-陶瓷 |
|
S2-0184 |
2L4_SU71 |
4x4 |
50 |
1.3 |
20 |
0.08 |
SMD |
|
S2-0003 |
2L10_SU7 |
10x10 |
100 |
1.3 |
90 |
0.4 |
基底 |
|
S2-0033 |
2L10_CP6 |
10x10 |
100 |
1.3 |
90 |
0.4 |
4针 陶瓷 |
|
S2-0185 |
2L10_SU72 |
10x10 |
100 |
1.3 |
90 |
0.4 |
SMD |
|
S2-0004 |
2L20_SU9 |
20x20 |
200 |
1.5 |
360 |
1.6 |
基底 |
|
S2-0023 |
2L20_CP7 |
20x20 |
200 |
1.5 |
360 |
1.6 |
4针 陶瓷 |
|
S2-0196 |
2L45_SU24 |
45x45 |
400 |
1.5 |
1600 |
7.0 |
基底 |
带有增强UV响应的SiTek二维PSD：
|
Part.NO |
型号 |
有效面积(mm) |
漏电流(nA) Leakage current |
Noise干扰电流pA/Hz |
电容(pF) |
上升时间(10-90%)(µs) |
标准封装 |
|
S2-0030 |
2L2UV_MP1 |
2 x 2 |
50 |
1.3 |
7 |
0.03 |
TO-8 |
|
S2-0006 |
2L4UV_MP1 |
4 x 4 |
50 |
1.3 |
20 |
0.08 |
TO-8 |
|
S2-0016 |
2L10UV_SU7 |
10 x 10 |
100 |
1.3 |
90 |
0.4 |
基底 |
|
S2-0034 |
2L20UV_SU9 |
20 x 20 |
200 |
1.5 |
360 |
1.6 |
基底 |
